HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

零件编号: HGT1S7N60A4DS
产品分类: 单 IGBT
制造商: Sanyo Semiconductor/onsemi
描述: IGBT 600V 34A 125W TO263AB
包装: -
ROHS状态: No
货币: USD
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规格

  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600 V
  • 输入类型 Standard
  • 供应商设备包 TO-263 (D2PAK)
  • 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 功率 - 最大 125 W
  • 反向恢复时间 (trr) 34 ns
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 34 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 56 A
  • 栅极电荷 37 nC
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
  • 开关能量 55µJ (on), 60µJ (off)
  • Td(开/关)@ 25°C 11ns/100ns
  • 测试条件 390V, 7A, 25Ohm, 15V